| 离子注入多晶Si浅结工艺在双极集成电路中的应用 |
| |
| 引用本文： | 来永春,王大椿,张通和,罗晏,沈京华,林振金,谢葆珍,刘有宝,卢英华,边江.离子注入多晶Si浅结工艺在双极集成电路中的应用[J].北京师范大学学报(自然科学版),1986(3). |
| |
| 作者姓名： | 来永春 王大椿 张通和 罗晏 沈京华 林振金 谢葆珍 刘有宝 卢英华 边江 |
| |
| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学物理系，中国科学院高能核物理研究所，航天工业部七七一所，航天工业部七七一所，航天工业部七七一所 |
| |
| 摘 要： | 本文用背散射技术、霍尔效应和X光衍射法测量As离子注入多晶Si浅结工艺在制备D.I2902电路中的基本参数:As在多晶Si中的扩散系数、电阻率、迁移率和晶粒大小。对影响电路参数的多晶Si与单晶Si之间的界面氧化层、多晶Si厚度和晶粒大小作了较详细的分析,指出极薄界面氧化层的存在影响As从多晶Si向单晶Si的扩散,也有利于发射效率的提高。最后给出D.I2902电路的工艺流程和基本电参数。
|
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
