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| 重掺衬底/轻掺硅外延层制备工艺研究 | |
| 引用本文： | 刘云,李明达.重掺衬底/轻掺硅外延层制备工艺研究[J].天津科技,2021(2):28-31,35. |
| 作者姓名： | 刘云 李明达 |
| 摘 要： | 轻掺硅外延层/重掺衬底的过渡层结构、厚度均匀性、电阻率均匀性等关键参数与所制器件的性能密切相关.通常基于重掺衬底的轻掺硅外延层,电阻率比厚度数值至少会低一个数量级,可以有足够的反应时间攀升到稳定轻掺态.但在光电探测应用领域,所需外延层电阻率高于厚度数值2倍以上,并且要求电阻率、厚度参数控制精确,均匀性好、过渡层窄,晶格... |
| 关 键 词： | 硅外延 轻掺 均匀性 过渡层 |