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3.75 GHz 0.35 μm CMOS 1:4静态分频器集成电路设计
作者姓名:包志华  景为平
作者单位:信息工程系,
摘    要:给出了一个利用0.35 μm CMOS工艺实现的14静态分频器设计方法.该分频器采用源极耦合场效应管逻辑电路,基本结构与T触发器相同.测试结果表明,当电源电压为3.3 V、输入信号峰峰值为O.5 V时,芯片可以工作在3.75 GHz,功耗为78 mW.

关 键 词:集成电路  分频器  CMOS工艺
文章编号:1000-1972(2001)04-0091-04
修稿时间:2001-10-16
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