| 单晶硅纳米级压痕过程分子动力学仿真 |
| |
| 引用本文： | 郭晓光,郭东明,康仁科,金洙吉. 单晶硅纳米级压痕过程分子动力学仿真[J]. 大连理工大学学报, 2008, 48(2): 205-209 |
| |
| 作者姓名： | 郭晓光 郭东明 康仁科 金洙吉 |
| |
| 作者单位： | 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116024 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 对内部无缺陷的单晶硅纳米级压痕过程进行了分子动力学仿真,从原子空间角度分析了单晶硅纳米级压痕过程的瞬间原子位置、作用力和势能等变化,解释了压痕过程.研究表明:磨粒逐渐向单晶硅片的逼进和压入,使得磨粒下方的硅晶格在磨粒的作用下发生了剪切挤压变形,磨粒作用产生的能量以晶格应变能的形式贮存在单晶硅的晶格中(即硅原子间势能),因此硅原子间势能随着力的增加而不断增加,当超过一定值且不足以形成位错时,硅的原子键就会断裂,形成非晶层,堆积在金刚石磨粒的下方.当磨粒逐渐离开单晶硅片时,非晶层原子进行重构,释放部分能量,从而达到新的平衡状态.
|
| 关 键 词： | 压痕过程 分子动力学仿真 单晶硅 |
| 文章编号： | 1000-8608(2008)02-0205-05 |
| 修稿时间： | 2006-01-15 |
Molecular dynamics simulation in monocrystal silicon indentation |
| |
| GUO Xiaoguang GUO Dongming KANG Renke JIN Zhuji. Molecular dynamics simulation in monocrystal silicon indentation[J]. Journal of Dalian University of Technology, 2008, 48(2): 205-209 |
| |
| Authors: | GUO Xiaoguang GUO Dongming KANG Renke JIN Zhuji |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | indentation molecular dynamics simulation monocrystal silicon |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《大连理工大学学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《大连理工大学学报》下载全文 |
|
