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| 角分布俄歇显微术──俄歇电子能谱的新进展 | |
| 引用本文： | 王志,刘玉珍.角分布俄歇显微术──俄歇电子能谱的新进展[J].河北科技大学学报,1994(3). |
| 作者姓名： | 王志 刘玉珍 |
| 作者单位： | 河北轻化工学院环境工程系,河北省科技情报研究所 |
| 摘 要： | 综述了俄歇电子能谱的新进展──角分布俄歇显微术。测量和展示俄歇电子的全角分布可给出浅表面原子的影象,借此可对样品表面原子、分子结构进行表征。理论认为这种原子形象是浅表面原子受较深层原子发射俄歇电子映照而成的,以Ｐｔ、Ｉ２为例,用相应理论教学模式模拟,所得结果和实验结果极相符合。角分布俄歇显微术在实践和理论上将俄歇电子能谱向前推进了一步。 |
| 关 键 词： | 俄歇电子能谱 俄歇电子发射 角分布俄歇显微术 |
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