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| 硅栅N沟道MOS场效应晶体管的研制 | |
| 引用本文： | 北京大学电子仪器厂半导体专业七○届工农兵学员研制小组.硅栅N沟道MOS场效应晶体管的研制[J].清华大学学报(自然科学版),1975(1). |
| 作者姓名： | 北京大学电子仪器厂半导体专业七○届工农兵学员研制小组 |
| 摘 要： | 引言 采用硅栅N沟道工艺,制造千位以上的快速大容量的MOS贮器,被认为是一个比较好的方案。 N为硅栅N沟MOS器件兼有其它工艺诸如:铝栅P沟道、硅栅P沟道、铝栅N沟道等工艺的优点。这是因为: 第一,N沟道电子迁移率比空穴大三倍多,因而同样几何的N沟道器件的跨导比P沟道大得多,另外硅栅自对准工艺,能减小寄生电容,因而硅栅N沟道器件有较快的速度。 第二,硅栅工艺有铝条,多晶硅和扩散层三层布线,提供了设计的灵活性。可以使得管芯面积大大减少,例如用硅栅工艺设计的千位存贮器的芯片面积祗有用标准铝栅工艺的一半。这对于提高集成度和成品… |
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