|
|||||
|
|
| 硅外延工艺中HCI气相腐蚀技术研究 | |
| 引用本文： | 徐非.硅外延工艺中HCI气相腐蚀技术研究[J].科技咨询导报,2008(33). |
| 作者姓名： | 徐非 |
| 摘 要： | 主要对硅外延工艺中的IICI气相腐蚀原理以及HCI气庸对外延工艺的作用进行了分析.从HCI腐蚀速率、腐蚀温度和对外延层电阻率均匀性影响等方面进行了重点研究,并采用不同的工艺条件,进行了相关的对比试验,总结了HCI气腐对外延层影响的规律. |
| 关 键 词： | 外延层 气相腐蚀 自掺杂 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |