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| 多孔硅注入稀土离子Eu~(3+)对发光的影响 | |
| 引用本文： | 王惟彪.多孔硅注入稀土离子Eu~(3+)对发光的影响[J].科学通报,1995,40(4):382-382. |
| 作者姓名： | 王惟彪 |
| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所 长春130021 (王惟彪，金长春，王永珍，周永东)，中国科学院长春物理研究所 长春130021(金亿鑫) |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室，集成光电子学国家重点实验室资助项目 |
| 摘 要： | 发光多孔硅材料的研究作为21世纪的关键新技术而受到重视,因为可用便宜而且工艺成熟的硅材料制备发光器件,实现全硅光电子集成.由于硅是当今应用最广泛的半导体材料之一,尤其是在大规模集成电路中的应用,如果能实现多孔硅发光的应用,将给光电子行业带来难以估量的影响,现在多孔硅已实现了红、绿、蓝光的发射,电致发光也已实现,使多孔硅向实用化迈出了一大步. |
| 关 键 词： | 多孔硅 铕离子 发光材料 硅 |
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