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低压下高共模输入范围恒定增益的CMOS输入级的研究
引用本文:卜登立,牛秀卿.低压下高共模输入范围恒定增益的CMOS输入级的研究[J].南开大学学报,2000,33(2):81-84.
作者姓名:卜登立  牛秀卿
作者单位:南开大学电子科学系!天津,300071,南开大学电子科学系!天津,300071
摘    要:本文报道了工作在低压下 ,用于 CMOS运放的输入级 .它具有高的共模输入范围 ,以及在共模输入范围内基本恒定的放大倍数 .为了达到高共模输入范围 ,我们采用了 N/P互补差分对 .为了获得共模范围内基本恒定的放大倍数 ,我们采用了开关管和电流镜 ,对在共模范围两端只有一对差分对工作的情况下的电流进行四倍的电流补偿 .PSPICE模拟结果表明 ,当电源电压为± 2 V时 ,该输入级的共模输入范围为 -2 V~ 2 V.

关 键 词:高共模输入范围  CMOS  输入级  运算放大器  低压

HIGH CMR AND CONSTANT GAIN CMOS INPUT-STAGE WITH LOW POWER SUPPLY
Bu Dengli,Niu Xuiqing.HIGH CMR AND CONSTANT GAIN CMOS INPUT-STAGE WITH LOW POWER SUPPLY[J].Acta Scientiarum Naturalium University Nankaiensis,2000,33(2):81-84.
Authors:Bu Dengli  Niu Xuiqing
Abstract:
Keywords:low power  supply  high CMR  CMOS  input  stage  
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