| 用快速白光辐照生成钨硅化物 |
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| 引用本文： | 姬成周,刘伊型,沈京华.用快速白光辐照生成钨硅化物[J].北京师范大学学报(自然科学版),1988(4). |
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| 作者姓名： | 姬成周 刘伊型 沈京华 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所 |
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| 摘 要： | 报导了用快速白光辐照、通过薄膜反应在GaAs衬底上生成单一化学相的硅化物W_5Si_3,对样品的结构方式和硅供应量对钨硅化物生成相的影响进行了讨论。
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| 关 键 词： | 硅化物 生成相 薄膜反应 |
THE FORMATION OF TUNGSTEN SILICIDES BY RTA |
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| ji Chengzhou Liu Yili Shen Jinghua.THE FORMATION OF TUNGSTEN SILICIDES BY RTA[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),1988(4). |
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| Authors: | ji Chengzhou Liu Yili Shen Jinghua |
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| Institution: | Institute of Low Energy Nuclear Physics |
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| Abstract: | A single phase W_5Si_3 is achieved by rapid thermal annealing (light irr- adiation) on GaAs deposited with multiply sandwhiched films of W and Si under UHV. The effects of sample preparation and Si supply on the forma- tion of tungsten silicides are discussed. |
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| Keywords: | silicide phase formation thin film reaction |
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