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| 二氧化锡薄膜的PECVD制备的特性 | |
| 引用本文： | 刘彭义,陈俊芳.二氧化锡薄膜的PECVD制备的特性[J].暨南大学学报,1997,18(3):48-51. |
| 作者姓名： | 刘彭义 陈俊芳 |
| 作者单位： | [1]暨南大学物理系 [2]华南师范大学量子电子研究所 |
| 摘 要： | 用ＰＥＣＶＤ方法制备出二氧化锡薄膜，利用双探针技术诊断出等子体反应器内电子密度的分布，并分析了它对薄膜电阻的影响，透射电镜分析表明随沉积温度升高，二氧化锡薄膜从非晶态转变为多晶态，其电阻庇随之减小，掺锑的二氧化锡薄膜对石油液化气和酒精具有良好的气敏效应。 |
| 关 键 词： | 二氧化锡薄膜 透射电镜 气敏性 PECVD法 |
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