| ZnSe及ZnSe基异质结构中电子迁移率随静压之变化 |
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| 引用本文： | 郭子政. ZnSe及ZnSe基异质结构中电子迁移率随静压之变化[J]. 内蒙古师范大学学报(自然科学版), 2002, 31(3): 225-229 |
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| 作者姓名： | 郭子政 |
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| 作者单位： | 内蒙古师范大学物理系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60166002) |
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| 摘 要： | 考虑压力对有效质量的影响,讨论电子迁移率随压力的变化,分别计算并比较了体ZnSe、ZnSe/GaAs外延层以及ZnSe/ZnS超晶格系统中电子迁移率随压力的变化,提出了非自由基超晶格系统的等效外延层模型.研究表明,内部应变和衬底对系统的电子迁移率随压力变化有重要影响,自由基和非自由基系统中电子迁移率的压力特性有很大区别.
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| 关 键 词： | 静压 外延层 超晶格 迁移率 |
| 文章编号： | 1001-8735(2002)03-0225-05 |
| 修稿时间： | 2002-05-22 |
HYDROSTATIC PRESSURE DEPENDENCE OF THE ELECTRON MOBILITIES OF ZnSe AND ZnSe-BASED HETEROSTRUCTURES |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | hydrostatic pressure epilayer superlattice mobility |
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