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| 用金球C—V技术测量热生长SiO_2中电荷分布时适用范围的研究 | |
| 引用本文： | 曹子祥,胡骏鹏,李斌,吴建朝.用金球C—V技术测量热生长SiO_2中电荷分布时适用范围的研究[J].西北大学学报,1985(3). |
| 作者姓名： | 曹子祥 胡骏鹏 李斌 吴建朝 |
| 作者单位： | 西北大学物理系，陕西省微电子研究所，西北大学物理系，西北大学物理系 80级学生，80级学生 |
| 摘 要： | 本文对金球C—V技术用文献中所介绍的(d~2V_(FB))/(dx~2)测量Sio_2中电荷分布时的适用范围进行了研究.在我们的实验中指出(1)当Sio_2厚度在200—300A范围时,测量数据处理要特别慎重(2)当Sio_2厚度小于750A时,只要V_(FB)仍是负值,V_(FB)的测量值是不可靠的。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |