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| 非晶SiO2/Si界面缺陷及其钝化/去钝化反应机制 | |
| 作者姓名： | 洪卓呈 左旭 |
| 作者单位： | 1.南开大学电子信息与光学工程学院,天津 300350; 2.天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津 300350; 3.薄膜光电子技术教育部工程研究中心,天津 300350 |
| 摘 要： | 研究非晶二氧化硅/硅(a-SiO2/Si)界面处的硅悬挂键缺陷(即Pb类缺陷)的钝化与去钝化过程对提高器件性能具有重要意义.基于分子动力学与第一性原理计算方法,以a-SiO2和晶体Si为基础,构建了a-SiO2/Si(111)界面模型.采用CI-NEB (Climbing Image-Nudged Elastic Ba... |
| 关 键 词： | 第一性原理 a-SiO2/Si(111)界面 钝化/去钝化 NEB方法 |
| 收稿时间： | 2020-03-20 |
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