| 工艺参数对反应烧结碳化硅导电性的影响 |
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| 引用本文： | 吕振林 熊流锋. 工艺参数对反应烧结碳化硅导电性的影响[J]. 西安交通大学学报, 1998, 32(12): 70-72,80 |
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| 作者姓名： | 吕振林 熊流锋 |
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| 作者单位： | 西安交通大学 |
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| 摘 要： | 对碳化硅颗粒尺寸，工艺参数与反应烧结碳化硅导电性的关系进行了研究，试验结果表明，随着碳化硅颗粒尺寸的减小，生坯成型压力增加，烧结气氛压力增大，碳化硅电阻率也增大，且烧结温度对电阻率的影响不大，同时，对不同烧结工艺下显微结构与电阻率的关系进行了分析讨论。
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| 关 键 词： | 碳化硅 反应烧结 导电性 工艺参数 陶瓷 |
Effect of Sintering Parameters on the Conductivity of Reaction Formed Silicon Carbide |
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| Lu Zhenlin Xiong Liufeng Huang Qingwei Gao Jiqiang Jin Zhihao. Effect of Sintering Parameters on the Conductivity of Reaction Formed Silicon Carbide[J]. Journal of Xi'an Jiaotong University, 1998, 32(12): 70-72,80 |
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| Authors: | Lu Zhenlin Xiong Liufeng Huang Qingwei Gao Jiqiang Jin Zhihao |
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| Abstract: | The effects of silicon carbide particle size,processing parameters on conductivity of reaction forming silicon carbide have been investigated.The results show that silicon carbide resistivity increases with decrease of particle size and increase of pressure of forming precursor and sintering atmosphere. But the effect of sintering temperature could be ignored.The microstructure and resistivity of silicon carbide are also discussed. |
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| Keywords: | silicon carbide reaction sintering conductivity |
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