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| 非晶态CoFeNiNbSiB软磁薄膜的制备和性能 | |
| 引用本文： | 刘宜华.非晶态CoFeNiNbSiB软磁薄膜的制备和性能[J].科学通报,1987,32(19):1455-1455. |
| 作者姓名： | 刘宜华 |
| 作者单位： | 山东大学物理系 济南 (刘宜华，王德新)，山东大学物理系 济南(梅良模) |
| 摘 要： | 钴基非晶合金薄膜是一种优良的软磁材料,它具有非常高的磁导率和极为优良的高频特性,是制做薄膜磁头,薄膜电感的理想材料,已受到人们的很大重视。在钴基非晶合金中加入Nb,可以提高材料的物理特性,提高晶化温度,改善材料的温度稳定性。CoFeNiNbSiB非晶薄带是一种性能十分优良的软磁材料,它的磁致伸缩系数近于零,具有优良的软磁特性及 |
| 收稿时间： | 1986-11-17 |
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