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| 碱腐蚀减薄硅片过程中少子寿命性质研究 | |
| 摘 要： | 通过高频光电导法研究了超薄晶硅片少数载流子寿命的变化规律,分析了碱液腐蚀速率、表面缺陷态的变化对少子寿命的影响,得到:在现有的切片工艺条件下,腐蚀10分钟即可将表面损伤层完全去除,使超薄晶片显示出体内和表面寿命共同决定的较大少子寿命值. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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