| Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的燃烧法制备及发光性能研究 |
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| 引用本文： | 刘建秀,张大凤,蒲锡鹏.Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的燃烧法制备及发光性能研究[J].聊城师院学报,2014(2):56-59. |
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| 作者姓名： | 刘建秀 张大凤 蒲锡鹏 |
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| 作者单位： | 聊城大学材料科学与工程学院,山东聊城252059 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（51002069）;聊城大学大学生科技文化创新基金（SF2013032） |
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| 摘 要： | 以硫脲为硫源,采用燃烧法制备了Zn05Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料.研究了Eu掺杂量对Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的结构,形貌,固体漫反射以及发光性能的影响.利用X-射线粉末衍射仪（XRD）,扫描电子显微镜（SEM）,紫外-可见分光光度计（UV-vis）和荧光分光光度计（PL）对样品进行了表征.结果表明：Eu掺杂量对样品的结构和形貌没有明显的变化,但对其发光性能却有着显著地影响.当Eu掺杂量为3％时所制备的Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的发光性能为最强.
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| 关 键 词： | Zn0 5Cd0 5S∶Eu3＋ 燃烧法 发光性 |
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