| 氧化铝中氧空位形成能的掺杂调制 |
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| 引用本文： | 段伟杰,王冬迎,杨毅.氧化铝中氧空位形成能的掺杂调制[J].湖南工程学院学报(自然科学版),2021,31(3):63-66. |
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| 作者姓名： | 段伟杰 王冬迎 杨毅 |
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| 作者单位： | 湖南工程学院 计算科学与电子学院,湘潭 411104 |
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| 摘 要： | 采用第一性原理计算结合原子替位掺杂的方法,研究原子掺杂效应对氧空位形成能的影响.通过计算发现,在氧化铝中进行金属原子替位掺杂可以显著降低氧空位的形成能,有利于形成局部的电阻退化,使氧化铝成为潜在的阻变功能材料.对氧化铝基阻变存储器件的设计、制备及其在新型存储器件领域的应用具有参考价值.
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| 关 键 词： | 阻变存储器 氧化铝 掺杂 氧空位 形成能 |
Doped Modulation of Oxygen Vacancy Formation Energy in Alumina |
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| DUAN Wei-jie,WANG Dong-ying,YANG Yi.Doped Modulation of Oxygen Vacancy Formation Energy in Alumina[J].Journal of Hunan Institute of Engineering(Natural Science Edition),2021,31(3):63-66. |
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| Authors: | DUAN Wei-jie WANG Dong-ying YANG Yi |
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