| 环境友好半导体Ca2Si晶体生长及其性能研究 |
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| 引用本文： | 崔冬萌,任雪勇,谢泉,付姗姗,周文娟.环境友好半导体Ca2Si晶体生长及其性能研究[J].吉林大学学报(信息科学版),2008,26(5). |
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| 作者姓名： | 崔冬萌 任雪勇 谢泉 付姗姗 周文娟 |
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| 作者单位： | 贵州大学,电子科学与信息技术学院,贵阳,550025;贵州大学,电子科学与信息技术学院,贵阳,550025;贵州大学,电子科学与信息技术学院,贵阳,550025;贵州大学,电子科学与信息技术学院,贵阳,550025;贵州大学,电子科学与信息技术学院,贵阳,550025 |
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| 摘 要： | 环境友好半导体材料Ca2Si晶体是直接带隙半导体,在室温下,其禁带宽度为1.9 eV,且在4.5 eV以下能量范围内,Ca2Si的光吸收系数大于β-FeSi2,因此,有望使用Ca2Si开发发光二极管、高效率太阳能电池等.综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展,由于现有的制备方法不适合大面积的制备Ca2Si材料,因此,提出了利用磁控溅射技术制备Ca2Si材料的设想.展望了Ca2Si的应用前景,探讨了当前Ca2Si研究领域中存在的问题.
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| 关 键 词： | Ca2Si晶体 直接带隙材料 太阳能电池 |
Research on Crystal Growth and Properties of Environmental Friendly Semiconductor Ca2Si |
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| CUI Dong-meng,REN Xue-yong,XIE Quan,FU Shan-shan,ZHOU Wen-juan.Research on Crystal Growth and Properties of Environmental Friendly Semiconductor Ca2Si[J].Journal of Jilin University:Information Sci Ed,2008,26(5). |
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| Authors: | CUI Dong-meng REN Xue-yong XIE Quan FU Shan-shan ZHOU Wen-juan |
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