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碲镉汞外延晶膜的不稳定性
引用本文:聂林如.碲镉汞外延晶膜的不稳定性[J].云南师范大学学报(自然科学版),1996,16(1):50-54.
作者姓名:聂林如
摘    要:通过在不同日期,相同测试条件下霍尔测试同-Hg1-xCdxTe/CdZnTe外延晶膜的电学参数,发现其电学参数随时间的不同而不同。根据Petritz^「1」的双层模型用计算机进行曲线模拟可知,此晶膜正由半导体向半金属转变,这一点已被扫描电镜所证实。

关 键 词:霍尔测试  HgCdTe  不稳定性  半导体  外延晶膜
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