碲镉汞外延晶膜的不稳定性 |
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引用本文: | 聂林如.碲镉汞外延晶膜的不稳定性[J].云南师范大学学报(自然科学版),1996,16(1):50-54. |
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作者姓名: | 聂林如 |
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摘 要: | 通过在不同日期,相同测试条件下霍尔测试同-Hg1-xCdxTe/CdZnTe外延晶膜的电学参数,发现其电学参数随时间的不同而不同。根据Petritz^「1」的双层模型用计算机进行曲线模拟可知,此晶膜正由半导体向半金属转变,这一点已被扫描电镜所证实。
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关 键 词: | 霍尔测试 HgCdTe 不稳定性 半导体 外延晶膜 |
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