| InGaAsP多量子阱结构激光器阱数设计与制备 |
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| 引用本文： | 陈龙海,彭宇恒,等.InGaAsP多量子阱结构激光器阱数设计与制备[J].厦门大学学报(自然科学版),1996,35(5):700-704. |
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| 作者姓名： | 陈龙海 彭宇恒 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理学系，吉林大学电子工程系 |
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| 摘 要： | 针对目前多量子阱激光器结构设计中，忽略了载流子在每个阱内的注入不均匀性的问题，从油松方程和电流连续方程出发，提出每个阱单独考虑的计算方法，从而比较精确地计算出多量子阱激光器的净增益，给出多量子阱激光器的最佳阱数选择，根据设计结果，生长了ＩｎＧａＡｓＰ分别限制量子阱结构．利用质子轰击制得条形量子阱激光器，实现室温连续工作．阈值电流为６０ｍＡ，激射波长为１．５２μｍ，单面输出外微分量子效率为３６％．
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| 关 键 词： | 多量子阱激光器，净增益，载流子注入不均匀性 |
The Choice of Well Number and Fabrication of InGaAsP Multiquantum-well Laser Diodes |
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| Chen Longhai, Chen Songyan, Peng Yuheng,Liu Shiyong, Huang Meichun.The Choice of Well Number and Fabrication of InGaAsP Multiquantum-well Laser Diodes[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),1996,35(5):700-704. |
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| Authors: | Chen Longhai Chen Songyan Peng Yuheng Liu Shiyong Huang Meichun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Multiquantum-well laser diode Net gain Nonuniformity of carrier injection |
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