混晶半导体材料GaAs1—xPx:N(x=0.4)光致发光谱研究 |
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作者姓名: | 林之融 俞容文 |
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作者单位: | 物理学系 |
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摘 要: | 采用变激发功率密度下的光致发光,变温下的光致发光等手段,研究了混晶GaAs1-xPx:N(x=0.4)样品中各发光带的发光特性,比较了不同激发条件下Nr与Nx发光带的不同行为,求得在出不同的温度区间内,Nr及Nx不同的激活能,结果表明Nr与Nx分属不同的杂质发光中心有着不同的束缚激子的机制。
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关 键 词: | 混晶 光致发光 束缚激子 砷化镓 半导体材料 |
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