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| 混晶半导体材料GaAs1—xPx：N（x=0.4）光致发光谱研究 | |
| 引用本文： | 林之融,俞容文.混晶半导体材料GaAs1—xPx：N（x=0.4）光致发光谱研究[J].厦门大学学报(自然科学版),1996,35(6):876-879. |
| 作者姓名： | 林之融 俞容文 |
| 作者单位： | 物理学系 |
| 摘 要： | 采用变激发功率密度下的光致发光，变温下的光致发光等手段，研究了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）样品中各发光带的发光特性，比较了不同激发条件下Ｎｒ与Ｎｘ发光带的不同行为，求得在出不同的温度区间内，Ｎｒ及Ｎｘ不同的激活能，结果表明Ｎｒ与Ｎｘ分属不同的杂质发光中心有着不同的束缚激子的机制。 |
| 关 键 词： | 混晶 光致发光 束缚激子 砷化镓 半导体材料 |
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