高低发射氏(HLE)硅太阳电池 |
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引用本文: | 吴荣华,曾晓萌.高低发射氏(HLE)硅太阳电池[J].厦门大学学报(自然科学版),1996,35(3):364-368. |
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作者姓名: | 吴荣华 曾晓萌 |
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摘 要: | 对HLE硅太阳电池做了光谱响应表达式的推导,理论上的数值计算及实验结果分析表明,硅HLE太阳电池在采用浅的重掺杂区及较深的低掺杂区构成电池发射区时,可获得比常规电池更好的光谱响应,从而提高了短路电流,并对暗电流有抑制作用,可获得较高的开路电压结果使HLE硅太阳电池具有较高的光电转换效率。
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关 键 词: | 光谱响应 高低发射区 太阳能电池 硅太阳能电池 |
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