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| Ag掺杂对单层MoS_2的电子结构和光学性质影响 | |
| 引用本文： | 黄保瑞,张富春,杨延宁. Ag掺杂对单层MoS_2的电子结构和光学性质影响[J]. 河南科学, 2018, 0(4): 524-527 |
| 作者姓名： | 黄保瑞 张富春 杨延宁 |
| 作者单位： | 延安大学物理与电子信息学院 |
| 摘 要： | 基于密度泛函理论框架下的平面波超软赝势方法,计算了Ag掺杂单层MoS_2中的能带结构、态密度和光学性质.计算结果显示单层MoS_2具有直接带隙结构,禁带宽度为1.63 eV;Ag掺杂后,Ag 4d与S 3p,Mo 4d发生轨道杂化,在费米能级处产生了多条杂化能级,表现为半金属特性,其中吸收峰、反射峰和能量损失峰峰值均有不同程度减小并向低能方向发生偏移,计算结果为Ag掺杂单层MoS_2的光电子器件制备提供了理论依据. |
| 关 键 词： | Ag掺杂 第一性原理 MoS_2 光学性质 |
Effects of Ag-doped on Electron Structure and Optical Properties of Monolayer MoS_2 |
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