| 一种采用全MOS器件补偿温度和沟调效应的电流控制环形振荡器 |
| |
| 引用本文： | 李凡阳,杨 涛.一种采用全MOS器件补偿温度和沟调效应的电流控制环形振荡器[J].福州大学学报(自然科学版),2017,45(5):659-662. |
| |
| 作者姓名： | 李凡阳 杨 涛 |
| |
| 作者单位： | 福州大学物理与信息工程学院，福建省集成电路设计中心， 福建 福州 350116,福州大学物理与信息工程学院，福建省集成电路设计中心， 福建 福州 350116 |
| |
| 摘 要： | 提出一种全MOS器件补偿温度和沟调效应电流控制环形振荡器,以减小通信时钟恢复电路振荡器的振荡频率偏移.与传统振荡器相比,该振荡器采用全MOS器件设计温度和偏置电流补偿电路,在增强可靠性的情况下降低了温度和沟调效应引起的频率偏移.电路采用0.35μm标准MOS工艺设计,通过与传统振荡器性能进行仿真比较,该方法振荡频率的偏移量得到明显改善.
|
| 关 键 词： | MOS器件 振荡器 频率偏移 |
A temperature and channeling effect-minimized current controlled ring oscillator using all MOS devices |
| |
| LI Fanyang and YANG Tao.A temperature and channeling effect-minimized current controlled ring oscillator using all MOS devices[J].Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition),2017,45(5):659-662. |
| |
| Authors: | LI Fanyang and YANG Tao |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《福州大学学报(自然科学版)》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《福州大学学报(自然科学版)》下载免费的PDF全文 |
