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双极型三极管饱和状态的探讨
引用本文:张大平.双极型三极管饱和状态的探讨[J].广西师范学院学报(自然科学版),2002,19(1):65-68.
作者姓名:张大平
作者单位:钦州师范高等专科学校,物理与电子工程系,广西,钦州,535000
摘    要:建立三极管的物理模型,分析讨论了三极管饱和时的偏置状态和载流子的运动规律,进一步说明了此时三极管集电结正偏的正确性。

关 键 词:双极型三极管  饱和状态  物理模型  偏置状态  载流子  集电结  NPN型三极管  正偏
文章编号:1002-8743(2002)01-0065-04
修稿时间:2001年12月10

A Research on the Saturational State of Bipolar Junction Transistor
ZHANG Da_ping.A Research on the Saturational State of Bipolar Junction Transistor[J].Journal of Guangxi Teachers Education University:Natural Science Edition,2002,19(1):65-68.
Authors:ZHANG Da_ping
Abstract:Based on the newly-built physical models of the transistor,the paper attempts to analyse the bias state within saturation and carriers' motional principles of the bipolar transistor,and meanwhile explains advancedly the correctness of the forward bias of the transistor-collector junction on the state.
Keywords:transistor  saturation  collector junction  forward bias
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