| 基于噪声消除的低噪声放大器架构 |
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| 引用本文： | 姚若河,许泽韬.基于噪声消除的低噪声放大器架构[J].华中科技大学学报(自然科学版),2020,48(9):82-88. |
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| 作者姓名： | 姚若河 许泽韬 |
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| 作者单位： | 华南理工大学电子与信息学院,广东 广州 510641;华南理工大学电子与信息学院,广东 广州 510641 |
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| 基金项目： | 广东省科技计划资助项目 |
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| 摘 要： | 提出了一种基于噪声消除与衬底交叉耦合技术的宽带低噪声放大器(LNA)架构,在共栅(CG)与并联反馈组合的噪声消除结构基础上,采用了衬底偏置和衬底交叉耦合技术使输入级的等效跨导增大,提高了噪声消除路径中的消除率,降低了电路的噪声指数.基于噪声消除原理,通过在输入级金属氧化物晶体管(MOS)的衬底上采用无源增益增强的方式,增加了输入级跨导的自由度,改善了原结构输入匹配与噪声指数之间相互制约的问题.根据LNA架构中节点的基尔霍夫电流公式,分析了新架构的增益、输入匹配和噪声指数.与现有噪声消除结构相比,采用衬底交叉耦合技术使这个LNA架构的噪声指数降低了13.3%.
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 宽带 噪声消除 交叉耦合 增益增强 |
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