| Si^＋和S^＋注入SI—GaAs白光快速退火特性 |
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| 引用本文： | 李国辉,朱德华.Si^＋和S^＋注入SI—GaAs白光快速退火特性[J].北京师范大学学报(自然科学版),1990(4):23-27. |
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| 作者姓名： | 李国辉 朱德华 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所 |
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| 摘 要： | 研究了 Si~+和 S~+注入 SI-GaAs 经白光瞬态退火后的电特性,得出最佳的退火条件为930～960℃,5s.在适当的注入和退火条件下,得到了陡峭的载流子剖面分布没有拖长的尾巴.发现Si~+注入白光快速退火样品比常规热退火样品有较好的电特性.使用 Si~+注入白光快速退火制作出了性能良好的全离子注入平面型 MESFET.
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| 关 键 词： | 离子注入 Si^＋ S^＋ GaAs 快速退华 |
THE CHARACTERISTICS OF RAPID THERMAL ANNEALING OF Si~+ AND S~+ IMPLANTED GaAs |
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| Li Guohui Zhu Dehua Zhang Tonghe Luo Yan Han Dejun.THE CHARACTERISTICS OF RAPID THERMAL ANNEALING OF Si~+ AND S~+ IMPLANTED GaAs[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),1990(4):23-27. |
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| Authors: | Li Guohui Zhu Dehua Zhang Tonghe Luo Yan Han Dejun |
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| Institution: | Institute of Low Energy Nuclear physics |
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| Keywords: | Si~+ S~+ implanted into GaAs light rapid thermal annealing abrupt carrier profile |
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