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| Ge+注入Si1-x Gex/Si异质结的退火行为 | |
| 引用本文： | 罗益民,陈振华,黄培云.Ge+注入Si1-x Gex/Si异质结的退火行为[J].中南大学学报(自然科学版),2005,36(4):560-565. |
| 作者姓名： | 罗益民 陈振华 黄培云 |
| 作者单位： | 1. 中南大学,物理科学与技术学院,湖南,长沙,410083 2. 湖南大学,材料科学学院,湖南,长沙,410082 3. 中南大学,粉末冶金研究院,湖南,长沙,410083 |
| 基金项目： | 中南大学校科研和教改项目 |
| 摘 要： | 在注入能量为100keV时,将注入剂量为5.3×1016/cm2的Ge 注入(001)SIMOX硅膜中制备Si1-xGex/Si异质结;然后,对样品进行碘钨灯快速热退火,退火温度为700～1 050℃,退火时间为5～30 min.对样品的(004)和(113)面X射线衍射数据进行计算和分析,得出退火温度为1 000℃、退火时间为30 min为最佳退火条件.在此退火条件下,假设固相外延生长为赝晶生长,90%的注入Ge 位于替代位置,若同时考虑应变弛豫,则位于替代位置的Ge 达到理论最大值的82%,共格因子为0.438.由于高剂量Ge 注入引起表面晶格损伤严重以及应变弛豫释放的位错和缺陷,因此,表面结晶质量不太理想. |
| 关 键 词： | 离子注入 Si1-xGex/Si异质结 退火行为 X射线衍射 |
| 文章编号： | 1672-7207(2005)04-0560-06 |
| 收稿时间： | 2004-10-28 |
| 修稿时间： | 2004年10月28 |
Annealing behavior of Si1-xGex/Si heterostructure formed by Ge+ implantation with X-ray diffraction |
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| LUO Yi-min,CHEN Zhen-hua,HUANG Pei-yun.Annealing behavior of Si1-xGex/Si heterostructure formed by Ge+ implantation with X-ray diffraction[J].Journal of Central South University:Science and Technology,2005,36(4):560-565. | |
| Authors: | LUO Yi-min CHEN Zhen-hua HUANG Pei-yun |
| Abstract: | |
| Keywords: | ion implantation Si1-xGex/Si heterostructure annealing behavior X-ray diffraction |
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