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聚酰亚胺的光刻
引用本文:龚本民,叶永达,应锡璋.聚酰亚胺的光刻[J].上海交通大学学报,1981(4).
作者姓名:龚本民  叶永达  应锡璋
作者单位:上海交通大学应用化学系,上海交通大学应用化学系,上海交通大学应用化学系 研究生
摘    要:聚酰亚胺以它卓越的耐热性、绝缘性和抗辐射性能著称。在使用时,通常先由可溶性的聚酰胺酸制成薄膜,再经加温处理转变为不溶不熔的聚酰亚胺。然而由于聚酰胺酸溶液在室温下容易降解,保存期极短,而且没有感光性,不能直接形成图象,这就限制了它在电子工业中的应用。本文对以上问题进行研究,发现以固体形式保存的聚酰胺酸基本上控制了降解,大大地延长了保存期,同时对聚酰胺酸进行了分子量分级精制,获得了性能更为优越的聚酰亚胺。此外,我们选择了适当的光刻胶作掩蔽,采用湿法或干法腐蚀已成功地形成所需的聚酰亚胺薄膜图象,从而解决了聚酰亚胺用于半导体器件的表面钝化和多层布线绝缘的技术问题,展示了聚酰亚胺在电子工业中应用的广阔前景。

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