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| (HgTe)_n(n=2～8)团簇的基态结构和电子性质 | |
| 作者单位： | ;1.塔里木大学机械电气化工程学院;2.河南大学特种功能材料重点实验室 |
| 摘 要： | 采用密度泛函理论计算,研究了(HgTe)n(n=2～8)团簇基态结构、结合能、能隙、垂直亲和势和二阶能量差分等性质。在广义梯度近似下,对(HgTe)n各种可能的几何结构进行了优化,预测了各团簇的最稳定结构,并对其电子性质进行了计算。研究结果表明:当n=2、n=3时,团簇的最低能量构型是平面结构;当n≥4时,团簇的最低能量结构是三维结构,并且可以看成是由(HgTe)2和(HgTe)3单元组成。(HgTe)n团簇的能隙、垂直亲和势和二阶能量差分表明:(HgTe)3和(HgTe)6是团簇的稳定结构,即n=3和n=6是团簇的幻数。 |
| 关 键 词： | (HgTe)n团簇 能隙 结合能 垂直亲和势 |
Ground-state Structure and Electronic Properties of (HgTe)_n (n=2～8) Clusters |
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| Keywords: | |