首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

高速芯片封装结构的同步开关噪声分析及抑制
引用本文:杨晓平,李征帆.高速芯片封装结构的同步开关噪声分析及抑制[J].上海交通大学学报,2001,35(6):852-854,858.
作者姓名:杨晓平  李征帆
作者单位:上海交通大学电子工程系,
基金项目:国家自然科学基金资助项目(69931020);博士点基金资助项目
摘    要:基于IBIS模型,提出了一种新颖、简单地估算高速芯片封装结构同步开关噪声(SSN)的方法,通过与电路模拟方法的比较,表明了该方法的有效性,基于对多种抑制封装结构SSN措施的分析与讨论,给出了低SSN的高速封装结构设计原则。

关 键 词:高速集成电路  先进封装工艺  同步开关噪声  IBIS模型  噪声抑制  封装结构
文章编号:1006-2467(2001)06-0852-03

Analysis and Suppression of Simultaneous Switching Noise in High-Speed Chip Package
YANG Xiao ping,LI Zheng fan.Analysis and Suppression of Simultaneous Switching Noise in High-Speed Chip Package[J].Journal of Shanghai Jiaotong University,2001,35(6):852-854,858.
Authors:YANG Xiao ping  LI Zheng fan
Abstract:Based on the IBIS model, a simple method was proposed to estimate the simultaneous switching noise (SSN) of the high speed chip package. Compared with the results of circuit simulation, it demonstrated that this method is effective.Relied on the analysis and discussions of many measures for suppressing the SSN of the package, some design guidelines for the high speed chip package with low SSN were presented.
Keywords:high  speed integrated circuit  advanced package technologies  simultaneous switching noise (SSN)  IBIS model  suppressing measures
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号