| InGaAs短波红外探测器的光电机理 |
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| 引用本文： | 邵海洋,邢怀中.InGaAs短波红外探测器的光电机理[J].东华大学学报(自然科学版),2019(1):158-162. |
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| 作者姓名： | 邵海洋 邢怀中 |
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| 作者单位： | 东华大学理学院 |
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| 摘 要： | 利用ISE TCAD仿真软件,建立了铟镓砷(InGaAs)短波红外探测器表面漏电的二维模型。在背面照射方式下,模拟研究了InGaAs短波红外探测器的表面漏电对器件暗电流、总电流、量子效率和响应率的影响。研究结果表明,表面漏电会导致器件的暗电流和总电流增大,但响应率和量子效率会降低。由此可知,表面漏电是制约InGaAs短波红外探测器性能的重要影响因素,该研究结果为器件的设计与优化提供了理论依据。
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| 关 键 词： | 表面漏电 InGaAs短波红外探测器 暗电流 响应率 量子效率 |
Photoelectric Mechanism of InGaAs Short Wavelength Infrared Detector |
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| SHAO Haiyang,XING Huaizhong.Photoelectric Mechanism of InGaAs Short Wavelength Infrared Detector[J].Journal of Donghua University,2019(1):158-162. |
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| Authors: | SHAO Haiyang XING Huaizhong |
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| Institution: | (College of Science, Donghua University, Shanghai 201620, China) |
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| Abstract: | SHAO Haiyang;XING Huaizhong(College of Science, Donghua University, Shanghai 201620, China) |
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| Keywords: | surface leakage InGaAs short wavelength infrared detector dark current responsivity quantum efficiency |
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