| 铁磁金属/绝缘体/铁磁半导体/普通金属
(FM/I/FS/NM)磁性隧道结中的隧穿磁电阻效应 |
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| 引用本文： | 李双伶,曾柏魁,谢征微.铁磁金属/绝缘体/铁磁半导体/普通金属
(FM/I/FS/NM)磁性隧道结中的隧穿磁电阻效应[J].四川师范大学学报(自然科学版),2020,43(2). |
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| 作者姓名： | 李双伶 曾柏魁 谢征微 |
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| 作者单位： | 四川师范大学物理与电子工程学院,四川成都610066;四川师范大学物理与电子工程学院,四川成都610066;四川师范大学物理与电子工程学院,四川成都610066 |
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| 基金项目： | 四川省教育厅自然科学基金重点项目 |
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| 摘 要： | 在已有的单自旋过滤磁性隧道结铁磁金属/绝缘体/铁磁绝缘体/普通金属(FM/I/FI/NM)研究的基础上,将其中的铁磁绝缘层(FI)换为铁磁半导体层(FS),研究了铁磁金属/绝缘体/铁磁半导体/普通金属(FM/I/FS/NM)磁性隧道结中的隧穿磁电阻(TMR)现象.结果表明:由于FS层中的自旋过滤效应和Rashba自旋轨道耦合的影响,FM/I/FS/NM结可以在FS层厚度较大的情况下获得非常大的TMR值,从而避免已有的FM/I/FI/NM单自旋过滤结(FI表示铁磁绝缘层)中TMR随FI层厚度增加而下降所导致FI层不能做的太厚带来的制备上的困难.同时,计算结果还显示,FM/I/FS/NM结的TMR随铁磁半导体层FS的厚度,FS层中的Rashba自旋轨道耦合强度和分子场的变化呈振荡变化,随绝缘层I厚度的增加呈饱和趋势.
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| 关 键 词： | 磁性隧道结 铁磁半导体 隧穿磁电阻 Rashba自旋轨道耦合 |
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