聚酰亚胺薄膜电容栅FET湿度传感器的研制

一种聚酰胺（ＰＩ）薄膜电容栅ＦＥＴ微型湿度传感器已经初步研制成功。这是一个ｎ沟道壁强型器件，具有曲折栅结构，沟道长约１０μｍ，宽〉８０００μｍ；栅区绝缘层厚约３３０００Ａ（ＳｉＯ２＋Ｓｉ３Ｎ４）；一个ＡｕＰＩ－Ａｌ纵向湿敏电容覆植于绝缘栅上，本文叙述了该ＰＩ－ＨＵＭＦＥＴ的结构设计，工作原理和主要性能，对某些有关问题进行了初步讨论。