聚酰亚胺薄膜电容栅FET湿度传感器的研制 |
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引用本文: | 骆如枋,陆德仁.聚酰亚胺薄膜电容栅FET湿度传感器的研制[J].科技通讯(上海),1995(1):42-46. |
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作者姓名: | 骆如枋 陆德仁 |
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摘 要: | 一种聚酰胺(PI)薄膜电容栅FET微型湿度传感器已经初步研制成功。这是一个n沟道壁强型器件,具有曲折栅结构,沟道长约10μm,宽〉8000μm;栅区绝缘层厚约33000A(SiO2+Si3N4);一个AuPI-Al纵向湿敏电容覆植于绝缘栅上,本文叙述了该PI-HUMFET的结构设计,工作原理和主要性能,对某些有关问题进行了初步讨论。
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关 键 词: | 湿度传感器 聚酰亚胺 薄膜电容栅 |
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