| 低频内耗方法研究纳米晶Al块体材料的退火效应 |
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| 引用本文： | 陈吉,丛洪涛,卢柯,李广义.低频内耗方法研究纳米晶Al块体材料的退火效应[J].中山大学学报(自然科学版),2001,40(Z2):257-260. |
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| 作者姓名： | 陈吉 丛洪涛 卢柯 李广义 |
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| 作者单位： | 中国科学院金属研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(59971055);中国科学院金属研究所所长基金资助 |
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| 摘 要： | 运用低频内耗温度谱和TEM显微观察,系统研究了由含H等离子蒸发制备的粉料经冷压得到的纳米晶Al试样的滞弹性行为及结构演化过程.结果表明当T预退火＜823K时,内耗Q-1随温度指数增加;当823K≤T预退火≤893K时,内耗Q-1的温度谱在指数背景上出现分布很宽的弛豫峰Pn.该峰远低于经典的粗晶Al的晶界峰;峰的激活能为(1.20±0.05)eV,介于粗晶Al沿晶界扩散的激活能与晶格扩散激活能之间.893K预退火40min后进行85%冷轧量变形并经727K退火60min的纳米晶Al,内耗Q-1随温度的变化表现为双弛豫峰P1和P2.P1蜂的激活能为(1.22±0.18)eV,P2峰的激活能为(1.53±16)eV.P1峰温和激活能与P0峰相当,P2峰温和激活能与粗晶Al晶界峰相当.TEM显微观察表明纳米晶Al的晶间结构及晶粒形状随预退火和冷变形处理发生了改变.根据上述结果,对预退火及冷变形处理引起的纳米晶Al的结构变化和内耗本质进行了探讨.
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| 关 键 词： | 纳米晶 Al 内耗 |
| 文章编号： | 0529-6579(2001)1-0257-04 |
| 修稿时间： | 2000年12月30 |
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