钼片上少层MoS2薄膜制备及其结构性能研究

采用气-固法在Mo基片制备高结晶质量的少层MoS₂薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪和光学显微镜(OM)对样品的结构和形貌进行表征，研究生长温度对薄膜结构、形貌和光致发光性能的影响。结果表明：在温度为800,900,1000℃生长的大面积薄膜呈现枝状晶结构；随着生长温度的增加制备的薄膜结晶性能越来越好；所有样品特征拉曼峰均位于385.7 cm^-1和410.8 cm^-1附近，这两个特征峰的差值为25.1 cm^-1,表明生长的薄膜为少层MoS₂膜；所有样品在693 nm处出现发光峰，对应带隙1.789 eV属于直接带隙半导体。该方法制备的薄膜在实现具有宽波段吸收和高光响应度的光电探测器件方面具有重要的应用价值。