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Ar在4.5~12nm光电离截面的测量
引用本文:霍同林,周洪军,钟鹏飞,蒋新亭.Ar在4.5~12nm光电离截面的测量[J].中国科学技术大学学报,2007,37(4):522-524.
作者姓名:霍同林  周洪军  钟鹏飞  蒋新亭
作者单位:中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029
摘    要:利用双收集板电离室作为吸收池研究了Ar在4.5~12nm波段的吸收截面.在5~12nm波段间,实验测得的光电离截面的相对误差范围在±10%以内,与West和Samson等的测量结果有很好的可比性.

关 键 词:同步辐射  光电离截面
文章编号:0253-2778(2007)04&05-0522-03
修稿时间:2006-12-252007-04-13

Measurement of photoionization cross section of Ar between 4.5 and 12 nm
HUO Tong-lin,ZHOU Hong-jun,ZHONG Peng-fei,JIANG Xin-ting.Measurement of photoionization cross section of Ar between 4.5 and 12 nm[J].Journal of University of Science and Technology of China,2007,37(4):522-524.
Authors:HUO Tong-lin  ZHOU Hong-jun  ZHONG Peng-fei  JIANG Xin-ting
Institution:National Synchrotron Radiation Laboratory, University of Science and Technology of China, Hefei 230029, China
Abstract:
Keywords:Ar
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