a-Si:H中无序对悬挂键电子状态的影响 |
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引用本文: | 韩圣浩,张瑞勤,段会川,戴国才.a-Si:H中无序对悬挂键电子状态的影响[J].山东大学学报(理学版),1990(3). |
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作者姓名: | 韩圣浩 张瑞勤 段会川 戴国才 |
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作者单位: | 山东大学物理系,山东大学物理系,山东大学物理系,山东大学物理系 |
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摘 要: | 实验测得的α-Si:H 中悬挂键能级相对于迁移边 E_C 的位置很不一致,分散于0.9—1.3eV 之间,本文用量子化学 EHT 方法对这一重要实验问题进行了计算。首先对 EHT 方法所用参数进行了优化选择处理,并对各种不同组态环境下的悬挂键能级进行了计算。结果表明,α-Si:H 中的悬挂键能级位置随环境原子排列的无序度不同而明显变化,由此推论:α-Si:H 中的悬挂键因能级位置相对于费米能级不同可以有三种荷电状态 T_3~+、T_3~-和 T_3~°,它们在空间上是相互分离的。据此,许多与悬挂键有关而长期存在的问题可以得到解释。
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关 键 词: | 悬挂键能级位置 荷电状态 Hückel 理论 非晶硅氢合金 |
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