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HIPIB烧蚀等离子体沉积DLC薄膜结构及性能
引用本文:梅显秀,徐卫平,马腾才,谭畅.HIPIB烧蚀等离子体沉积DLC薄膜结构及性能[J].大连理工大学学报,2004,44(4):469-473.
作者姓名:梅显秀  徐卫平  马腾才  谭畅
作者单位:大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学,材料工程系,辽宁,大连,116024
基金项目:国家自然科学基金资助项目(重点项目19835030).
摘    要:利用强流脉冲离子束(HIPIB)烧蚀等离子体在Si(100)基体上快速沉积类金刚石(DLC)薄膜.电压为250keV,柬流密度为250A/cm^2,脉宽为70ns的离子柬(主要由碳离子和氢离子组成)聚焦到石墨靶材上.使石墨充分电离产生稠密的烧蚀等离子体,在石墨靶的法线方向的Si基体上沉积出非晶的DLC薄膜,基片温度选择25℃和100℃,XPS分析显示DLC薄膜中sp^3C的含量达到40%.扫描电镜和原子力显微镜分析得知薄膜表面比较光滑,100℃时沉积的DLC薄膜的表面更光滑,表面粗糙度为0.927nm,其摩擦因数为O.10;TEM分析表明DLC薄膜的相结构是非晶的;X射线衍射分析得出薄膜的宏观残余应力为压应力,其大小约为4GPa.

关 键 词:强流脉冲离子束  类金刚石薄膜  结构  性能
文章编号:1000-8608(2004)04-0469-05

Structure and properties of diamond-like carbon films prepared by high-intensity pulsed-ion-beam ablation deposition
MEI Xian-xiu.Structure and properties of diamond-like carbon films prepared by high-intensity pulsed-ion-beam ablation deposition[J].Journal of Dalian University of Technology,2004,44(4):469-473.
Authors:MEI Xian-xiu
Institution:MEI Xian-xiu~
Abstract:
Keywords:HIPIB  DLC film  structure  property
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