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| 用脉冲激光束在n型GaAs上制备欧姆接触 | |
| 引用本文： | 吴恒显,林成鲁,吴鼎芬,柳襄怀,陈芬扣,邬慧娟.用脉冲激光束在n型GaAs上制备欧姆接触[J].自然杂志,1980(6). |
| 作者姓名： | 吴恒显 林成鲁 吴鼎芬 柳襄怀 陈芬扣 邬慧娟 |
| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 (吴恒显)，中国科学院上海冶金研究所 (林成鲁，吴鼎芬，柳襄怀，陈芬扣)，中国科学院上海冶金研究所(邬慧娟) |
| 摘 要： | 欧姆接触是半导体器件工艺的基本环节之一,制得低而稳定的接触电阻对器件性能的改进有很大意义.n型GaAs欧姆接触合金目前普遍采用以AuGe共晶为基加入不同量的Ni合金,但加热合金化有缩球现象、不均匀性和表面粗糙的缺点,对器件性能带来影响.近年来,不少学者以红宝石脉冲激光器、氩离子连续激光器等进行激光合金化,得到了良好的欧姆接触. |
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