| InxGa1-xN/GaN量子点中的激子态 |
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| 引用本文： | 危书义,吴花蕊,夏从新.InxGa1-xN/GaN量子点中的激子态[J].河南师范大学学报(自然科学版),2004,32(4):152-152. |
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| 作者姓名： | 危书义 吴花蕊 夏从新 |
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| 作者单位： | 河南师范大学,物理与信息工程学院,河南,新乡,453007;河南师范大学,物理与信息工程学院,河南,新乡,453007;河南师范大学,物理与信息工程学院,河南,新乡,453007 |
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| 基金项目： | 河南省高校青年骨干教师资助计划;河南省教育厅自然科学基础研究计划项目(2003140027,20041400004) |
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| 摘 要： | 近年来，三元半导体合金InGaN由于在光电器件(高亮度的蓝、绿光发光二激管、激光二极管)上的应用而备受人们的关注．由于InN和GaN之间比较大的晶格失配导致在InxGa1-xN／GaN量子阱的InxGa1-xN激活层中自发形成一些纳米量级的富In类量子点．这些富In量子点就像三维陷阱一样，
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| 关 键 词： | InGaN量子点 压电极化 自发极化 量子约束斯塔克效应 带间光跃迁 |
| 文章编号： | 1000-2367(2004)04-0152-01 |
| 修稿时间： | 2004年5月10日 |
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