| 掺杂型锰氧化物La1-xSrxMnO3的电子结构研究 |
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| 引用本文： | 耿滔,庄松林. 掺杂型锰氧化物La1-xSrxMnO3的电子结构研究[J]. 上海理工大学学报, 2008, 30(2): 103-106 |
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| 作者姓名： | 耿滔 庄松林 |
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| 作者单位： | 上海理工大学,理学院,上海,200093;上海理工大学,光学与电子信息工程学院,上海,200093 |
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| 摘 要： | 采用局域自旋密度泛函近似LSDA(local spin-density approximation)对La_(1-x)Sr_xMnO_3超晶格的电子结构进行了计算.计算结果与众多实验数据相一致.在完整的立方晶格结构中,计算发现,已经能够得到锰氧化物特有的半金属特性,这说明Jahn-Teller畸变对此类材料半金属性的形成不起主导作用.当考虑了晶格畸变后,发现晶体的电子结构对晶体c轴与a轴的长度比(c/a)的变化十分敏感,导电性发生了金属(c/a<1)—半金属(c/a=1)—绝缘体(c/a>1)的转变.
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| 关 键 词： | 电子结构 La1-xSrxMnO3 Mn-O键长 c/a比值 |
| 文章编号： | 1007-6735(2008)02-0103-04 |
| 修稿时间： | 2007-01-23 |
Effects of lattice on electronic structures of La1-xSrxMnO3 |
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| GENG Tao,ZHUANG Song-lin. Effects of lattice on electronic structures of La1-xSrxMnO3[J]. Journal of University of Shanghai For Science and Technology, 2008, 30(2): 103-106 |
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| Authors: | GENG Tao ZHUANG Song-lin |
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