| 小顶角平台硅中阶梯光栅光刻胶掩模制备工艺研究 |
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| 引用本文： | 焦庆斌. 小顶角平台硅中阶梯光栅光刻胶掩模制备工艺研究[J]. 吉林工学院学报, 2015, 0(3): 288-292 |
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| 作者姓名： | 焦庆斌 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春,130033 |
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| 基金项目： | 国家863计划基金资助项目 |
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| 摘 要： | 为降低硅中阶梯光栅制作工艺中顶角平台对光栅衍射效率的影响，提出了“紫外曝光‐倒置热熔”结合法用于制备具有小占宽比的光刻胶掩模，对中阶梯光栅设计、硅基片准备以及光刻胶掩模制备等环节进行了研究。A FM 测试结果表明，可以制备占宽比为1∶5的光刻胶掩模，远远超出光栅理论设计中对顶角平台尺寸的要求。
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| 关 键 词： | 紫外曝光 倒置热熔 硅中阶梯光栅 湿法刻蚀 |
Fabrication of photoresist mask of siIicon echeIIe grating wi th smaII top pI ane |
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| JIAO Qingbin. Fabrication of photoresist mask of siIicon echeIIe grating wi th smaII top pI ane[J]. Journal of Jilin Institute of Technology, 2015, 0(3): 288-292 |
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| Authors: | JIAO Qingbin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | UV exposure inverted melt silicon echelle grating wet etching |
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