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| 退火温度对N掺杂MgZnO薄膜光电性能的影响 | |
| 作者姓名： | 高丽丽 徐莹 刘力 张淼 |
| 作者单位： | 1. 北华大学 物理学院, 吉林 吉林 132013； 2. 吉林大学 物理学院, 长春 130012 |
| 基金项目： | 吉林省教育厅“十二五”科学技术研究项目(批准号:2013189) |
| 摘 要： | 采用射频磁控溅射技术, 用氮气作为掺杂源, 在石英基片上生长N掺杂MgxZn1-xO薄膜, 并将薄膜分别在550,600,650,700 ℃真空中进行热退火处理. 结果表明: 晶体质量随退火温度的升高而提高； 薄膜中Mg和Zn的原子比发生了变化； Raman光谱中位于272,642 cm-1处的振动峰逐渐消失； 室温光致发光光谱中薄膜的紫外激子发射峰变强, 且发生峰移； 随着退火温度的升高, 薄膜的导电类型发生转变, 当退火温度为600 ℃时, 薄膜呈最佳的p型导电性质. |
| 关 键 词： | 射频磁控溅射 MgZnO薄膜 N掺杂 快速热退火 |
| 收稿时间： | 2013-12-12 |
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