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| 氧化铜陶瓷的高介电性 | |
| 引用本文： | 周锋子,李立本,王会娴,朱卫利,王晓飞.氧化铜陶瓷的高介电性[J].河南科技大学学报(自然科学版),2012,33(2):97-100,10. |
| 作者姓名： | 周锋子 李立本 王会娴 朱卫利 王晓飞 |
| 作者单位： | 河南科技大学物理与工程学院,河南洛阳,471003 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(50972056);河南科技大学科研创新能力培育基金项目(2010CZ20017) |
| 摘 要： | 采用固相反应法制备了氧化铜(CuO)陶瓷,得到不同频率下样品的介电随温度变化关系。通过X射线衍射图谱确定CuO陶瓷为单斜相结构,形成了粒径大约为150 nm的晶粒。假定晶粒为被绝缘晶界隔离的半导体,通过cole-cole图得到静态介电常数和高频介电常数,运用Arrhenius关系计算出激活能,进而利用Maxwell-Wagner机制进行理论拟合,与试验结果进行对比分析,表明CuO陶瓷晶粒在低频段、低温区时具有半导体性。 |
| 关 键 词： | CuO陶瓷 半导体 颗粒间界阻挡层模型 激活能 |
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