| 异质结价带边不连续△E_v理论计算中d态的作用 |
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| 引用本文： | 王仁智,黄美纯,柯三黄. 异质结价带边不连续△E_v理论计算中d态的作用[J]. 厦门大学学报(自然科学版), 1991, 0(5) |
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| 作者姓名： | 王仁智 黄美纯 柯三黄 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理学系(王仁智，黄美纯)，厦门大学物理学系(柯三黄) |
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| 摘 要： | 由半导体的LMTO能带计算平均健能E_1,并以平均键能E_1作为参考能级计算共阴离子异质结的△E值.在LMTO能带计算中采用不同处理d态的计算方法,系统地研究d态在△E,理论计算中的作用,研究结果表明,d态对主要能带的杂化程度显著地影响△E值;适当处理d态之后,以E为参考能级的△E计算方法可以得到接近于界面自洽方法(SCIC或SCSC)的准确结果。
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| 关 键 词： | 异质结 价带边不连续 |
d State Effects in Theoretical Calculations of Band Offset in Heterostructures |
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| Wang Renzhi Huang Meichun Ke Sanhuamg. d State Effects in Theoretical Calculations of Band Offset in Heterostructures[J]. Journal of Xiamen University(Natural Science), 1991, 0(5) |
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| Authors: | Wang Renzhi Huang Meichun Ke Sanhuamg |
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| Affiliation: | Dept. of Phys. |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Heterostructures Valence-band offsets |
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